无锡紫光微电子开发的高压超结MOSFET器件,基于电荷平衡理论并采用先进的深槽刻蚀技术,可显著降低器件的导通电阻和栅电荷,改善其静态和动态特性。在开关电源、充电器、LED照明等市场应用中,该系列产品可很好的兼容具有PFC、正激、反激等多种拓扑形式的电路结构,显著减小系统的功率损耗并提高转换效率。
SMPS | Topology | Voltage class |
AC / DC | PFC | 600 |
DC / DC | Two Switch Forward DC-DC(TTF) | 600 |
Fixed Frequency Flyback | 650 | |
Single Stage | 650/600 | |
LLC Half Bridge DC-DC | 650/600 | |
Quasi-Resonant Flyback DC-DC | 900 | |
Active Clamp Forward | 800 | |
ZVS Asym. Half Bridge DC-DC | 650/600 | |
ITTF | 600/500 |